Banca de DEFESA: EDVAN MOREIRA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: EDVAN MOREIRA
DATA: 29/07/2011
HORA: 14:30
LOCAL: Auditório do DFTE
TÍTULO:

Propriedades Estruturais e Optoeletrônicas dos Compstos SrSnO3, Sr(x)Ba(1-x)SnO3 e BaSnO3.

PALAVRAS-CHAVES:

Propriedades Estruturais, Propriedades Optoeletrônicas,
SrSnO3, Sr(x)Ba(1-x)SnO3 e BaSnO3.

PÁGINAS: 211
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Apresentamos neste trabalho um estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas, em condições ambientes dos cristais de SrSnO₃, Sr_xBa_1-xSnO₃ (x = 0.2, 0.4, 0.6, 0.8) e BaSnO₃, todos eles membros da classe das perovskitas do tipo estanatos terrosos, ASnO₃. O nosso modelo teórico foi baseado na teoria do funcional da densidade (DFT) considerando ambas as aproximações da densidade local e do gradiente generalizado, LDA-CAPZ e GGA-PBE (OPIUM), respectivamente. Para o SrSnO₃ ortorômbico, foram calculadas a estrutura de bandas eletrônica, densidade de estados, função dielétrica complexa, absorção óptica e os espectros infravermelho e Raman. Os parâmetros de rede calculados estão próximos dos resultados experimentais, e um band gap indireto E (S → Γ) = 1.97eV (2.27eV) foi obtido dentro do nível GGA (LDA) de cálculo. Massas efetivas de buraco e de elétrons foram estimadas, sendo muito anisotrópicas em comparação com os resultados similares para o CaSnO₃ ortorômbico. A função dielétrica complexa e a absorção óptica do SrSnO₃ são sensíveis ao plano de polarização da luz incidente. O espectro infravermelho entre 100-600cm^-1 foi obtido, com seus principais picos sendo assinalados, e um bom acordo entre os picos experimentais e teóricos do espectro Raman do SrSnO₃ ortorômbico foram alcançados.

 Para a série Sr_xBa_1-xSnO₃, as propriedades eletrônicas foram investigadas. O Sr_0.2Ba_0.8SnO₃ cúbico possui um band gap indireto, enquanto o Sr_0.4Ba_0.6SnO₃ tetragonal, os ortorômbicos Sr_0.6Ba_0.4SnO₃ e Sr_0.8Ba_0.2SnO₃ exibem um band gap direto. O band gap eletrônico mínimo de Kohn-Sham oscila de 2.62eV (Sr_0.4Ba_0.6SnO₃ tetragonal, LDA) até 1.52eV (Sr_0.6Ba_0.4SnO₃ ortorômbico, LDA). As massas efetivas de buracos e de elétrons foram estimadas, sendo anisotrópicas nas séries.

 Para o BaSnO₃ cúbico, foram calculadas a estrutura de bandas eletrônica, densidade de estados, função dielétrica e absorção óptica, bem como o espectro infravermelho de absorção após computar os modos de vibração do cristal em q=0. A permissividade óptica dielétrica e as polarizabilidades em ω=0 e ω =¥ foram obtidas. Um band gap indireto E (R → Γ) de 1.01eV e 0.74eV foi obtido com o LDA-CAPZ e o GGA-PBE, respectivamente, que é menor que o dado experimental (» 3.1eV). As massas efetivas de buraco e de elétron foram estimadas através de um ajuste parabólico ao longo de diferentes direções no máximo da banda de valência e no mínimo da banda de condução, sendo muito isotrópico para elétrons e anisotrópico para buracos, permitindo-nos sugerir que o BaSnO₃ cúbico de gap indireto é um semicondutor com potencial para aplicações optoeletrônicas. As propriedades ópticas revelaram um grau de isotropia para o cristal com respeito aos diferentes planos de polarização de luz incidente. O espectro infravermelho entre 100-600cm^-1 foi obtido, com seus principais picos sendo assinalados.

MEMBROS DA BANCA:
Externo à Instituição - DAVID LIMA AZEVEDO - UFMA
Presidente - 345638 - EUDENILSON LINS DE ALBUQUERQUE
Externo à Instituição - JOSE DE MIRANDA HENRIQUES NETO - UFCG
Interno - 346140 - LUCIANO RODRIGUES DA SILVA
Externo ao Programa - 1354851 - MANOEL SILVA DE VASCONCELOS