Banca de DEFESA: JOSE AMERICO DE SOUSA MOURA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.

DISCENTE: JOSE AMERICO DE SOUSA MOURA

DATA: 17/12/2010

HORA: 15:00

LOCAL: AUDITÓRIO DO DEPARTAMENTO DE FÍSICA TEÓRICA E EXPERIMENTAL

TÍTULO:

FIILMES NANOMÉTRICOS DE FeN e AlN CRESCIDOS POR SPUTTERING E APLICAÇÕES DO EFEITO PELTIER

PALAVRAS-CHAVES:

 sputtering; nitretos; magnetismo; semicondutores; filmes finos; efeito peltier.

PÁGINAS: 157

GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra

ÁREA: Física

SUBÁREA: Física da Matéria Condensada

ESPECIALIDADE: Materiais Magnéticos e Propriedades Magnéticas

RESUMO:

Neste trabalho será mostrado a habilidade da técnica de sputtering (dc/rf) reativo/não-reativo a baixa potência para o crescimento de filmes nanométricos de materiais magnéticos (FeN) e semicondutores de gap largo (AlN) assim como a aplicação tecnológica do efeito peltier por módulos comerciais de Telureto de Bismuto (Bi2Te3). De grande interesse tecnológico para indústria de gravação magnética de altas densidades o sistema FeN apresenta um dos mais altos momentos magnéticos, entretanto a diversidade de fases formadas torna-o ainda, de difícil controle as suas propriedades magnéticas para produção de dispositivos. Neste trabalho foi investigado a variação destas propriedades por ressonância ferromagnética, MOKE e microscopia de força atômica (AFM) em função da concentração de nitrogênio na mistura gasosa do crescimento reativo. O Nitreto de Alumínio, enquadrado nos semicondutores de “gap” largo e de grande interesse na indústria eletrônica e optoeletrônica foi crescido em filmes nanométricos, de modo inédito, com boa qualidade estrutural a partir de alvo puro de AlN por sputtering rf não-reativo a baixa potência (~50W). Outra verificação deste trabalho é que o longo tempo de deposição para este material, pode levar a contaminação dos filmes por materiais adsorvidos nas paredes da câmara de deposição. A investigação por EDX mostra a presença de contaminantes magnéticos, provenientes de deposições anteriores, leva os filmes semicondutores de AlN crescidos a apresentarem magnetoresistência com resistividade alta. O efeito peltier aplicado nas células compactas de refrigeração disponíveis comercialmente e eficientes para resfriamento de pequenos volumes foi aplicada na criação de uma adega refrigerada disponibilizado para a indústria local como inovação tecnológica com registro de patente.

 

MEMBROS DA BANCA:
Externo ao Programa - 1509949 - ALEXANDRE BARBOSA DE OLIVEIRA
Externo à Instituição - ANTONIO FERREIRA DA SILVA - UFBA
Presidente - 2199774 - CARLOS CHESMAN DE ARAUJO FEITOSA
Externo à Instituição - ILDE GUEDES DA SILVA - UFC
Interno - 1474380 - MARCIO ASSOLIN CORREA