Estados de Borda em Cristais Fotônicos Topológicos
Cristal Fotônico; Transição de Fase Topológica; Estados de Borda; Comportamento Topológico de Pseudospin
Neste trabalho propomos um sistema fotônico topológico bidimensional de hastes de Si, cuja célula unitária é composto por seis átomos artificiais localizados nos locais de uma rede triangular. Perturbando a rede original, aumentando alternadamente (tipo A) e encolhendo (tipo B) o raio das hastes, encontramos modos de borda que são altamente localizada na interface entre os cristais fotônicos tipo A e tipo B. A estrutura proposta é robusto contra defeitos complexos e permite a transmissão das ondas eletromagnéticas em propagação sem qualquer reflexão. Os modos de borda da interface apresentam um comportamento típico correspondente ao de um isolante topológico. Mais especificamente, o modo de borda apresenta um comportamento topológico de pseudospin. Nossos resultados numéricos mostram robustez, proveniente da proteção topológica, desta modalidade contra defeitos, desordem e reflexão. Além disso, a localização no estado da interface permite o confinamento da luz, onde a interface se comporta como um guia de ondas para a propagação de ondas eletromagnéticas. A perturbação geométrica considerada aqui pode facilmente ser implementado usando nanolitografia.